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厦门高纯五氧化二钽靶材定制 Ta2O5靶材
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中国**科工飞航技术研究院的刘华松等研究人员采取正交实验法系统地研究了离子束溅射制备的Ta2O5薄膜光学带隙，基于Cody-Lorentz介电常数物理模型，通过光谱反演计算获得薄膜的禁带宽度和Urbach带尾宽度，后得到了Ta2O5薄膜禁带宽度和Urbach带尾宽度的调整方法
当**大规模集成电路的特征尺寸缩小至小于65nnm或者更小时,传统的二氧化硅栅介质层的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅层会大幅度增加器件功耗,并且减弱栅较电压控制沟道的能力。在等效氧化层厚度保持不变的情况下,使用高介电材料替换传统的栅较介质,使用加大介质层物理厚度的方法,可以明显减弱直接隧穿效应,并增加器件的可靠性。所以,找寻高介电的栅介质材料就成了当务之急。在高介电栅介质材料中,由于五氧化二钽既具有较高的介电常数(K-26),又能够兼容与传统的硅工艺,被普遍认为是在新一代的动态随机存储器(DRAM)电容器件材料中相当有潜力的替代品
【中文名称】五氧化二钽
【英文名称】tantalic oxide; tantalum pentoxide
【结构或分子式】 Ta2O5
【分子量】 441.89
【密度】8.2g/cm3
【熔点（℃）】1800
【性状】
白色斜方晶体，菱形柱状体。
【溶解情况】
溶于熔融硫酸氢钾和氢氟酸,不溶于水和其他酸。
五氧化二钽的应用相当广泛,涵盖触媒、固态氧化物燃料电池和感测器等.而五氧化二钽(Ta2O5)薄膜具有高介电常数(25~35)、高折射率(波长550 nm处为2.01~2.23)和很好的化学稳定性,可以作为动态随机存储器(DRAM)、金属氧化硅晶体管、减反膜、高温阻抗、气敏传感器以及电容器的关键材料等
当**大规模集成电路的特征尺寸缩小至小于65nnm或者更小时,传统的二氧化硅栅介质层的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅层会大幅度增加器件功耗,并且减弱栅较电压控制沟道的能力。在等效氧化层厚度保持不变的情况下,使用高介电材料替换传统的栅较介质,使用加大介质层物理厚度的方法,可以明显减弱直接隧穿效应,并增加器件的可靠性。所以,找寻高介电的栅介质材料就成了当务之急。在高介电栅介质材料中,由于五氧化二钽既具有较高的介电常数(K-26),又能够兼容与传统的硅工艺,被普遍认为是在新一代的动态随机存储器(DRAM)电容器件材料中相当有潜力的替代品
【中文名称】五氧化二钽
【英文名称】tantalic oxide; tantalum pentoxide
【结构或分子式】 Ta2O5
【分子量】 441.89
【密度】8.2g/cm3
【熔点（℃）】1800
【性状】
白色斜方晶体，菱形柱状体。
【溶解情况】
溶于熔融硫酸氢钾和氢氟酸,不溶于水和其他酸。
五氧化二钽的应用相当广泛,涵盖触媒、固态氧化物燃料电池和感测器等.而五氧化二钽(Ta2O5)薄膜具有高介电常数(25~35)、高折射率(波长550 nm处为2.01~2.23)和很好的化学稳定性,可以作为动态随机存储器(DRAM)、金属氧化硅晶体管、减反膜、高温阻抗、气敏传感器以及电容器的关键材料等
